RAM (random access memory )
แรมแบบ DDRAM
แรม หรือ หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (อังกฤษ: random access memory: RAM) เป็นหน่วยความจำหลัก ที่ใช้ในระบบคอมพิวเตอร์ยุคปัจจุบัน หน่วยความจำชนิดนี้ อนุญาตให้เขียนและอ่านข้อมูลได้ในตำแหน่งต่างๆ อย่างอิสระ และรวดเร็วพอสมควร ซึ่งต่างจากสื่อเก็บข้อมูลชนิดอื่นๆ อย่างเทปหรือดิสก์ที่มีข้อจำกัดในการอ่านและเขียนข้อมูล ที่ต้องทำตามลำดับก่อนหลังตามที่จัดเก็บไว้ในสื่อ หรือมีข้อกำจัดแบบรอมที่อนุญาตให้อ่านเพียงอย่างเดียว
ข้อมูลในแรม อาจเป็นโปรแกรมที่กำลังทำงาน หรือข้อมูลที่ใช้ในการประมวลผล ของโปรแกรมที่กำลังทำงานอยู่ ข้อมูลในแรมจะหายไปทันที เมื่อระบบคอมพิวเตอร์ถูกปิดลง เนื่องจากหน่วยความจำชนิดนี้ จะเก็บข้อมูลได้เฉพาะเวลาที่มีกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงเท่านั้น
KINGSTON – เจ้าแรกที่วางตลาดหน่วยความจำ DDR
หน่วยความจำ SDRAM แบบ DDR (อัตราถ่ายโอนข้อมูลเร็วเป็นสองเท่า) เป็นผลิตภัณฑ์ที่พัฒนาต่อเนื่องจากเทคโนโลยีหน่วยความจำ PC100/PC133 รุ่นเก่า หน่วยความจำ DDR SDRAM สามารถทำงานได้สองอย่างต่อสัญญาณนาฬิกาของคอมพิวเตอร์ แตกต่างจากหน่วยความจำ SDRAM ที่รองรับการทำงานเพียงอย่างเดียว ต่อสัญญาณนาฬิกา จึงมีแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำกว้างเป็นสองเท่า เหนือกว่า SDRAM ที่มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลผ่านแบนด์วิดท์เพียงครึ่งเดียว KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY เป็น
เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้แรมในการเก็บโปรแกรมและข้อมูลระหว่างการประมวลผล คุณสมบัติที่สำคัญประการหนึ่งของแรมคือความเร็วที่ใช้เข้าหนึ่งตำแหน่งต่างๆ ในหน่วยความจำมีค่าเท่าๆ กัน ซึ่งต่างจากเทคโนโลยีอื่นบางอย่างซึ่งต้องใช้เวลารอกว่าที่บิตหรือไบต์จะมาถึง
ระบบแรกๆ ที่ใช้หลอดสุญญากาศทำงานคล้ายกับแรมในสมัยปัจจุบันถึงแม้ว่าอุปกรณ์จะเสียบ่อยกว่ามาก หน่วยความจำแบบแกนเฟอร์ไรต์ (core memory) ก็มีคุณสมบัติในการเข้าถึงข้อมูลแบบเดียวกัน แนวความคิดของหน่วยความจำที่ทำจากหลอดและแกนเฟอร์ไรต์ก็ยังใช้ในแรมสมัยใหม่ที่ทำจากวงจรรวมหน่วยความจำหลักแบบอื่นมักเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์ที่มีเวลาเข้าถึงข้อมูลไม่เท่ากัน เช่น หน่วยความจำแบบดีเลย์ไลน์ (delay line memory) ที่ใช้คลื่นเสียงในท่อบรรจุปรอทในการเก็บข้อมูลบิต หน่วยความจำแบบดรัม ซึ่งทำงานใกล้เคียงฮาร์ดดิสก์ในปัจจุบัน เป็นข้อมูลในรูปของแม่เหล็กในแถบแม่เหล็กรูปวงกลม
แรมหลายชนิดมีคุณสมบัติ volatile หมายถึงข้อมูลที่เก็บจะสูญหายไปถ้าปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ แรมสมัยใหม่มักเก็บข้อมูลบิตในรูปของประจุไฟฟ้าในตัวเก็บประจุ ดังเช่นกรณี ไดนามิคแรม หรือในรูปสถานะของฟลิปฟล็อป ดังเช่นของ สแตติกแรมปัจจุบันมีการพัฒนาแรมแบบ non-volatile ซึ่งยังเก็บรักษาข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีไฟเลี้ยงก็ตาม เทคโนโลยีที่ใช้ ก็เช่น เทคโนโลยีนาโนทิวจากคาร์บอน (carbon nanotube) และ ปรากฏการณ์ magnetic tunnel
ในฤดูร้อนปี พ.ศ. 2546 มีการเปิดตัวแรมแบบแม่เหล็ก (Magnetic RAM, MRAM) ขนาด 128 Kib ซึ่งผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 0.18 ไมครอน หัวใจของแรมแบบนี้มาจากปรากฏการณ์ magnetic tunnel ในเดือนมิถุนายน พ.ศ. 2547 บริษัท อินฟินิออน (Infineon) เปิดตัวต้นแบบขนาด 16 Mib อาศัยเทคโนโลยี 0.18 ไมครอนเช่นเดียวกัน
สำหรับหน่วยความจำจากคอร์บอนนาโนทิว บริษัท แนนเทโร (Nantero) ได้สร้างต้นแบบขนาน 10 GiBในปี พ.ศ. 2547
ในเครื่องคอมพิวเตอร์ สามารถจองแรมบางส่วนเป็นพาร์ติชัน ทำให้ทำงานได้เหมือนฮาร์ดดิสก์แต่เร็วกว่ามาก มักเรียกว่า แรมดิสค์ (ramdisk)FEMMA แม้ว่าเทคโนโลยีใหม่ล่าสุดเหล่านี้ จะยังไม่มีผลกระทบต่อผู้ใช้ส่วนใหญ่โดยตรง แต่ก็น่าจะมีผลข้างเคียงอยู่บ้าง โดยเฉพาะอย่ายิ่งสำหรับผู้ที่รักการโอเวอร์คล็อกเป็นชีวิตจิตใจ
DDR - RAM
หน่วยความจำ DDR
หน่วยความจำ SDRAM แบบ DDR (อัตราถ่ายโอนข้อมูลเร็วเป็นสองเท่า) เป็นผลิตภัณฑ์ที่พัฒนาต่อเนื่องจากเทคโนโลยีหน่วยความจำ PC100/PC133 รุ่นเก่า หน่วยความจำ DDR SDRAM สามารถทำงานได้สองอย่างต่อสัญญาณนาฬิกาของคอมพิวเตอร์ แตกต่างจากหน่วยความจำ SDRAM ที่รองรับการทำงานเพียงอย่างเดียว ต่อสัญญาณนาฬิกา จึงมีแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำกว้างเป็นสองเท่า เหนือกว่า SDRAM ที่มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลผ่านแบนด์วิดท์เพียงครึ่งเดียว KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY เป็น
สมาชิกของ JEDEC ซึ่งเป็นองค์กรกำหนดมาตรฐานในอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์ มีหน้าที่กำหนดและออกข้อมูลจำเพาะ สำหรับหน่วยความจำ DDR SDRAM ผู้อำนวยการฝ่ายเทคโนโลยีของ KINGSTON เป็นหนึ่งในคณะกรรมการบริหารของ JEDEC โดยได้รับเลือกตั้ง ให้ดำรงตำแหน่งเป็นรองประธานกรรมการ ที่ยังอยู่ในตำแหน่งขณะนี้ วิศวกรของ KINGSTON มีส่วนร่วมทำงานอย่างจริงจัง กับคณะอนุกรรมการด้านเทคโนโลยีหน่วยความจำ ในการกำหนดมาตรฐาน สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำปัจจุบัน และอนาคต ความพยายามในการพัฒนา DDR ของ KINGSTON ทำให้ต้องเกี่ยวข้องอย่างใกล้ชิด กับผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โปรเซสเซอร์ ชิปเซ็ต และเมนบอร์ดชั้นนำ รวมทั้งกลุ่ม PC OEM วิศวกรของ KINGSTON ร่วมคิดค้นผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ DDR ในอนาคตอย่างจริงจัง ร่วมกับ JEDEC และพันธมิตรอื่นๆ ผลของความบากบั่นพัฒนาผลิตภัณฑ์อย่างจริงจังนี้เอง ทำให้ KINGSTON เป็นเจ้าแรกที่นำหน่วยความจำ PC1600 DDR ออกสู่ตลาดครบทุกรุ่นในปี 2000 จากนั้นในปี 2001 KINGSTON ก็เป็นเจ้าแรกที่ได้นำ PC2100 DDR DIMM และ PC1600/2100 DDR SO-DIMM ใหม่ล่าสุด ออกสู่ตลาด สำหรับลูกค้ากลุ่ม OEM เพื่อใช้กับโน๊ตบุ๊ค และอุปกรณ์สื่อสาร DDR สิ้นปี 2001 KINGSTON จัดส่ง PC2700 DDR DIMM ให้แก่ผู้ผลิตระบบ ที่พร้อมจะเริ่มใช้แพลตฟอร์ม DDR 333 MHZ ในปี 2002 จากนั้น KINGSTON ได้เริ่มจัดส่งหน่วยความจำ PC3200 DDR ที่ความเร็ว 400MHZ ในเดือนพฤศจิกายน 2002 สำหรับตลาดเกมและผู้สนใจเทคโนโลยีอย่างจริงจัง จากนั้นในเดือนกรกฎาคม 2003 KINGSTON เริ่มสายการผลิตหน่วยความจำ HYPERX รุ่นใหม่ เพื่อรองรับความเร็วที่เกินกว่า 400MHZ
DDR – เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำหลักมาจนถึงกลางปี 2005
หน่วยความจำ DDR ได้รับคัดเลือกจากอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์ ให้เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำหลัก เพื่อใช้แทนที่หน่วยความจำแบบ SDRAM ประมาณปี 2005 หน่วยความจำนี้นำไปใช้กับแพลตฟอร์มต่างๆ มากมาย อาทิเช่น เครื่องพีซีตั้งโต๊ะ เซิร์ฟเวอร์ โน๊ตบุ๊ค คอมพิวเตอร์ขนาดเล็ก และเล็กมาก รวมถึงแพลตฟอร์มเครือข่าย/สื่อสาร หน่วยความจำ DDR ได้รับการคัดเลือก เนื่องจากประสิทธิภาพในการทำงานที่เพิ่มขึ้น รวมทั้งข้อดีในเรื่องต้นทุนที่ต่ำกว่า SDRAM เนื่องจาก DDR สามารถผลิตได้ง่าย โดยใช้โรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่มีอยู่ นอกจากนั้นยังสามารถผลิตและทดสอบได้ โดยไม่ต้องลงทุนสูงอีกด้วย หน่วยความจำ DDR มีแบนด์วิดท์ และประสิทธิภาพในการทำงาน ของหน่วยความจำเพิ่มขึ้น กว่า SDRAM เหมาะสำหรับใช้ในงานธุรกิจ มัลติมีเดีย และบันเทิง
ประวัติแรมขนาด 4 เมกะบิตของเครื่อง VAX 8600 ประมาณปี 2529DDR – เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำหลักมาจนถึงกลางปี 2005
หน่วยความจำ DDR ได้รับคัดเลือกจากอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์ ให้เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำหลัก เพื่อใช้แทนที่หน่วยความจำแบบ SDRAM ประมาณปี 2005 หน่วยความจำนี้นำไปใช้กับแพลตฟอร์มต่างๆ มากมาย อาทิเช่น เครื่องพีซีตั้งโต๊ะ เซิร์ฟเวอร์ โน๊ตบุ๊ค คอมพิวเตอร์ขนาดเล็ก และเล็กมาก รวมถึงแพลตฟอร์มเครือข่าย/สื่อสาร หน่วยความจำ DDR ได้รับการคัดเลือก เนื่องจากประสิทธิภาพในการทำงานที่เพิ่มขึ้น รวมทั้งข้อดีในเรื่องต้นทุนที่ต่ำกว่า SDRAM เนื่องจาก DDR สามารถผลิตได้ง่าย โดยใช้โรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่มีอยู่ นอกจากนั้นยังสามารถผลิตและทดสอบได้ โดยไม่ต้องลงทุนสูงอีกด้วย หน่วยความจำ DDR มีแบนด์วิดท์ และประสิทธิภาพในการทำงาน ของหน่วยความจำเพิ่มขึ้น กว่า SDRAM เหมาะสำหรับใช้ในงานธุรกิจ มัลติมีเดีย และบันเทิง
เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้แรมในการเก็บโปรแกรมและข้อมูลระหว่างการประมวลผล คุณสมบัติที่สำคัญประการหนึ่งของแรมคือความเร็วที่ใช้เข้าหนึ่งตำแหน่งต่างๆ ในหน่วยความจำมีค่าเท่าๆ กัน ซึ่งต่างจากเทคโนโลยีอื่นบางอย่างซึ่งต้องใช้เวลารอกว่าที่บิตหรือไบต์จะมาถึง
ระบบแรกๆ ที่ใช้หลอดสุญญากาศทำงานคล้ายกับแรมในสมัยปัจจุบันถึงแม้ว่าอุปกรณ์จะเสียบ่อยกว่ามาก หน่วยความจำแบบแกนเฟอร์ไรต์ (core memory) ก็มีคุณสมบัติในการเข้าถึงข้อมูลแบบเดียวกัน แนวความคิดของหน่วยความจำที่ทำจากหลอดและแกนเฟอร์ไรต์ก็ยังใช้ในแรมสมัยใหม่ที่ทำจากวงจรรวมหน่วยความจำหลักแบบอื่นมักเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์ที่มีเวลาเข้าถึงข้อมูลไม่เท่ากัน เช่น หน่วยความจำแบบดีเลย์ไลน์ (delay line memory) ที่ใช้คลื่นเสียงในท่อบรรจุปรอทในการเก็บข้อมูลบิต หน่วยความจำแบบดรัม ซึ่งทำงานใกล้เคียงฮาร์ดดิสก์ในปัจจุบัน เป็นข้อมูลในรูปของแม่เหล็กในแถบแม่เหล็กรูปวงกลม
แรมหลายชนิดมีคุณสมบัติ volatile หมายถึงข้อมูลที่เก็บจะสูญหายไปถ้าปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ แรมสมัยใหม่มักเก็บข้อมูลบิตในรูปของประจุไฟฟ้าในตัวเก็บประจุ ดังเช่นกรณี ไดนามิคแรม หรือในรูปสถานะของฟลิปฟล็อป ดังเช่นของ สแตติกแรมปัจจุบันมีการพัฒนาแรมแบบ non-volatile ซึ่งยังเก็บรักษาข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีไฟเลี้ยงก็ตาม เทคโนโลยีที่ใช้ ก็เช่น เทคโนโลยีนาโนทิวจากคาร์บอน (carbon nanotube) และ ปรากฏการณ์ magnetic tunnel
ในฤดูร้อนปี พ.ศ. 2546 มีการเปิดตัวแรมแบบแม่เหล็ก (Magnetic RAM, MRAM) ขนาด 128 Kib ซึ่งผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 0.18 ไมครอน หัวใจของแรมแบบนี้มาจากปรากฏการณ์ magnetic tunnel ในเดือนมิถุนายน พ.ศ. 2547 บริษัท อินฟินิออน (Infineon) เปิดตัวต้นแบบขนาด 16 Mib อาศัยเทคโนโลยี 0.18 ไมครอนเช่นเดียวกัน
สำหรับหน่วยความจำจากคอร์บอนนาโนทิว บริษัท แนนเทโร (Nantero) ได้สร้างต้นแบบขนาน 10 GiBในปี พ.ศ. 2547
ในเครื่องคอมพิวเตอร์ สามารถจองแรมบางส่วนเป็นพาร์ติชัน ทำให้ทำงานได้เหมือนฮาร์ดดิสก์แต่เร็วกว่ามาก มักเรียกว่า แรมดิสค์ (ramdisk)FEMMA แม้ว่าเทคโนโลยีใหม่ล่าสุดเหล่านี้ จะยังไม่มีผลกระทบต่อผู้ใช้ส่วนใหญ่โดยตรง แต่ก็น่าจะมีผลข้างเคียงอยู่บ้าง โดยเฉพาะอย่ายิ่งสำหรับผู้ที่รักการโอเวอร์คล็อกเป็นชีวิตจิตใจ
DDR - RAM
ปัจจุบันเริ่มมีศัพท์แสงแปลกๆ เกี่ยวกับ RAM โผล่เข้ามาในวงการคอมพิวเตอร์ ไม่ว่าจะเป็น TSOP, DDR-II หรือ FEMMA แม้ว่าเทคโนโลยีใหม่ล่าสุดเหล่านี้ จะยังไม่มีผลกระทบต่อผู้ใช้ส่วนใหญ่โดยตรง แต่ก็น่าจะมีผลข้างเคียงอยู่บ้าง โดยเฉพาะอย่ายิ่งสำหรับผู้ที่รักการโอเวอร์คล็อกเป็นชีวิตจิตใจ
ถ้าพูดถึงแรมในทุกวันนี้ หัวข้อในการสนทนาของผู้คนส่วนใหญ่น่าจะอยู่ที่การแข่งขันกันของแต่ละเทคโนโลยี ทั้งในด้านของประสิทธิภาพและแบนด์วิดธ์ ไม่ว่าจะเป็น DDR-II ที่กำลังจะมาถึง หรือ RDRAM ที่ค่อยๆ เพิ่มความถี่ของสัญญาณนาฬิกาขึ้นอย่างต่อเนื่อง แต่ประเด็นที่หลายๆ คนมักมองข้ามไป ไม่ค่อยมีการพูดถึง ก็คือเรื่องเทคโนโลยีการผลิต (Module) ของแรม ทั้งนี้ทั้งนั้นก็เพราะที่ผ่านมา การพัฒนาในด้านโมดูลของ DRAM นั้น แทบจะเป็นไปแบบช้าๆ สังเกตได้จากกรณีของ DIMM และ RIMM ที่ไม่ได้มีการเปลี่ยนแปลงไปมากนักในช่วงสองสามปีที่ผ่านมา แต่นั่นก็เป็นเรื่องของอดีต เพราะในปัจจุบันสถานการณ์ได้เปลี่ยนไปแล้ว ถ้าคุณเข้าไปดูหน่วยความจำในตลาดของเซิร์ฟเวอร์ทุกวันนี้ จะพบว่ามีโมดูลแรมแบบใหม่ผุดขึ้นมามากมาย ไม่ว่าจะเป็น TCP, EPOC หรือ FEMMA ซึ่งก็ไม่แน่ว่า สักวันหนึ่งแรมชนิดต่างๆ เหล่านี้ อาจจะไหลทะลักเข้ามาสู่ตลาดของผู้ใช้ทั่วไปก็เป็นได้ ดังนั้น จึงน่าจะเป็นการดีกว่า ถ้าคุณจะรู้ว่าโมดูลของ DRAM ชนิดใหม่ๆ ที่เกิดขึ้นมานี้ มีข้อดีจุดด้อยที่แตกต่างกันอย่างไร ซึ่งนั่นก็คือประเด็นหลักที่เราจะมาว่ากันในบทความนี้ SIMM, DIMM และ RIMM ถ้าหยิบแผงหน่วยความจำของคุณขึ้นมาดู จะพบว่ามันจะมีชิปจำนวนมากมายที่เชื่อมต่อกันอยู่บนแผงวงจร (PCBหรือ Printed Circuit boad) ชิปเหล่านั้นก็คือแรม ซึ่งอาจจะเป็น DDR-SDRAM, RDRAM หรือ SDRAM แล้วแต่ว่าหน่วยความจำที่คุณใช้อยู่นั้นเป็นแบบใด (ถ้าคุณอยากรู้ว่าแผงหน่วยความจำนั้นมีขนาดเท่าไร ก็ให้เอาขนาดของชิปหน่วยความจำแต่ละตัวมารวมกัน) แม้ว่าหัวใจของแผงหน่วยความจำจะอยู่ที่ตัวแรม แต่การออกแบบวงจรที่เชื่อมต่อชิปหน่วยความจำเข้าด้วยกันก็มีความสำคัญไม่แพ้กัน เพราะนอกจากจะต้องทำให้หน่วยความจำสามารถเชื่อมต่อกับระบบได้อย่างเปี่ยมประสิทธิภาพแล้ว มันยังต้องมีความเป็นมาตรฐานด้วย (ไม่ว่าจะเป็นจำนวนพิน, ช่องว่างระหว่างพิน ไปจนถึงฟังก์ชันของพินแต่ละพิน) ทำให้โมดูลของแผงหน่วยความจำที่เกิดขึ้นจนถึงในปัจจุบันนั้น มีอยู่เพียงไม่กี่แบบ โดยเท่าที่พอจะพบเห็นในปัจจุบัน ก็เห็นจะมีอยู่ 3 แบบคือ SIMM, DIMM และ RIMM SIMM หรือ single in-line memory module เป็นโมดูลของหน่วยความจำซึ่งใช้ในระบบรุ่นก่อนๆ ที่มีเมโมรีพาธแบบ 32 บิต ซึ่งถ้าระบบของคุณเก่ามากเอาการ คุณก็จะพบว่าสล็อตสำหรับเสียบหน่วยความจำในเมนบอร์ดของคุณจะเป็นแบบนี้ (ถ้าไม่ทราบว่าเมนบอร์ดของคุณสนับสนุนการทำงานของโมดูลแรมแบบใด ก็ให้ดูที่คู่มือเมนบอร์ด หรือถ้าเป็นเมนบอร์ดรุ่นที่ไม่เก่าเกินไปนัก ก็อาจพิจารณาจากหน่วยความจำที่เมนบอร์ดนั้นสนับสนุนการทำงานก็ได้ เช่น ถ้าใช้หน่วยความจำแบบ SDRAM หรือ DDR-SDRAM ก็จะเป็นแบบ DIMM แต่ถ้าสนับสนุนการทำงานกับ RDRAM ก็จะเป็นแบบ RIMM) ตั้งแต่ตัวประมวลผลเพนเทียมเป็นต้นไป จะเป็นตัวประมวลผลแบบ 64 บิต ซึ่งหมายถึงว่าในการติดตั้ง SIMM ลงในระบบ คุณต้องติดตั้งลงไปเป็นคู่ ทำให้มีการพัฒนาโมดูลแรมแบบใหม่ขึ้นมา ซึ่งก็คือ DIMM หรือ dual in-line memory module ที่จะมีเมโมรีพาธแบบ 64 บิต ทำให้คุณไม่ต้องไปวุ่นวายกับการใส่แผงหน่วยความจำแบบเป็นคู่อีกต่อไป และ DIMM ก็คือโมดูลของแรมที่ยังคงใช้กันอยู่อย่างแพร่หลายในปัจจุบัน ด้วยการมาถึงของหน่วยความจำแบบ RDRAM ซึ่งแตกต่างไปจาก SDRAM และ DDR-SDRAM อยู่พอสมควร ทำให้บริษัท Rambus (ผู้พัฒนา RDRAM) ต้องออกแบบ โมดูลแรมขึ้นมาใหม่เพื่อใช้กับหน่วยความจำของพวกเขา และผลที่ได้ออกมาก็คือ RIMM ซึ่งย่อมาจาก Rambus Inline Memory Module
ถ้าพูดถึงแรมในทุกวันนี้ หัวข้อในการสนทนาของผู้คนส่วนใหญ่น่าจะอยู่ที่การแข่งขันกันของแต่ละเทคโนโลยี ทั้งในด้านของประสิทธิภาพและแบนด์วิดธ์ ไม่ว่าจะเป็น DDR-II ที่กำลังจะมาถึง หรือ RDRAM ที่ค่อยๆ เพิ่มความถี่ของสัญญาณนาฬิกาขึ้นอย่างต่อเนื่อง แต่ประเด็นที่หลายๆ คนมักมองข้ามไป ไม่ค่อยมีการพูดถึง ก็คือเรื่องเทคโนโลยีการผลิต (Module) ของแรม ทั้งนี้ทั้งนั้นก็เพราะที่ผ่านมา การพัฒนาในด้านโมดูลของ DRAM นั้น แทบจะเป็นไปแบบช้าๆ สังเกตได้จากกรณีของ DIMM และ RIMM ที่ไม่ได้มีการเปลี่ยนแปลงไปมากนักในช่วงสองสามปีที่ผ่านมา แต่นั่นก็เป็นเรื่องของอดีต เพราะในปัจจุบันสถานการณ์ได้เปลี่ยนไปแล้ว ถ้าคุณเข้าไปดูหน่วยความจำในตลาดของเซิร์ฟเวอร์ทุกวันนี้ จะพบว่ามีโมดูลแรมแบบใหม่ผุดขึ้นมามากมาย ไม่ว่าจะเป็น TCP, EPOC หรือ FEMMA ซึ่งก็ไม่แน่ว่า สักวันหนึ่งแรมชนิดต่างๆ เหล่านี้ อาจจะไหลทะลักเข้ามาสู่ตลาดของผู้ใช้ทั่วไปก็เป็นได้ ดังนั้น จึงน่าจะเป็นการดีกว่า ถ้าคุณจะรู้ว่าโมดูลของ DRAM ชนิดใหม่ๆ ที่เกิดขึ้นมานี้ มีข้อดีจุดด้อยที่แตกต่างกันอย่างไร ซึ่งนั่นก็คือประเด็นหลักที่เราจะมาว่ากันในบทความนี้ SIMM, DIMM และ RIMM ถ้าหยิบแผงหน่วยความจำของคุณขึ้นมาดู จะพบว่ามันจะมีชิปจำนวนมากมายที่เชื่อมต่อกันอยู่บนแผงวงจร (PCBหรือ Printed Circuit boad) ชิปเหล่านั้นก็คือแรม ซึ่งอาจจะเป็น DDR-SDRAM, RDRAM หรือ SDRAM แล้วแต่ว่าหน่วยความจำที่คุณใช้อยู่นั้นเป็นแบบใด (ถ้าคุณอยากรู้ว่าแผงหน่วยความจำนั้นมีขนาดเท่าไร ก็ให้เอาขนาดของชิปหน่วยความจำแต่ละตัวมารวมกัน) แม้ว่าหัวใจของแผงหน่วยความจำจะอยู่ที่ตัวแรม แต่การออกแบบวงจรที่เชื่อมต่อชิปหน่วยความจำเข้าด้วยกันก็มีความสำคัญไม่แพ้กัน เพราะนอกจากจะต้องทำให้หน่วยความจำสามารถเชื่อมต่อกับระบบได้อย่างเปี่ยมประสิทธิภาพแล้ว มันยังต้องมีความเป็นมาตรฐานด้วย (ไม่ว่าจะเป็นจำนวนพิน, ช่องว่างระหว่างพิน ไปจนถึงฟังก์ชันของพินแต่ละพิน) ทำให้โมดูลของแผงหน่วยความจำที่เกิดขึ้นจนถึงในปัจจุบันนั้น มีอยู่เพียงไม่กี่แบบ โดยเท่าที่พอจะพบเห็นในปัจจุบัน ก็เห็นจะมีอยู่ 3 แบบคือ SIMM, DIMM และ RIMM SIMM หรือ single in-line memory module เป็นโมดูลของหน่วยความจำซึ่งใช้ในระบบรุ่นก่อนๆ ที่มีเมโมรีพาธแบบ 32 บิต ซึ่งถ้าระบบของคุณเก่ามากเอาการ คุณก็จะพบว่าสล็อตสำหรับเสียบหน่วยความจำในเมนบอร์ดของคุณจะเป็นแบบนี้ (ถ้าไม่ทราบว่าเมนบอร์ดของคุณสนับสนุนการทำงานของโมดูลแรมแบบใด ก็ให้ดูที่คู่มือเมนบอร์ด หรือถ้าเป็นเมนบอร์ดรุ่นที่ไม่เก่าเกินไปนัก ก็อาจพิจารณาจากหน่วยความจำที่เมนบอร์ดนั้นสนับสนุนการทำงานก็ได้ เช่น ถ้าใช้หน่วยความจำแบบ SDRAM หรือ DDR-SDRAM ก็จะเป็นแบบ DIMM แต่ถ้าสนับสนุนการทำงานกับ RDRAM ก็จะเป็นแบบ RIMM) ตั้งแต่ตัวประมวลผลเพนเทียมเป็นต้นไป จะเป็นตัวประมวลผลแบบ 64 บิต ซึ่งหมายถึงว่าในการติดตั้ง SIMM ลงในระบบ คุณต้องติดตั้งลงไปเป็นคู่ ทำให้มีการพัฒนาโมดูลแรมแบบใหม่ขึ้นมา ซึ่งก็คือ DIMM หรือ dual in-line memory module ที่จะมีเมโมรีพาธแบบ 64 บิต ทำให้คุณไม่ต้องไปวุ่นวายกับการใส่แผงหน่วยความจำแบบเป็นคู่อีกต่อไป และ DIMM ก็คือโมดูลของแรมที่ยังคงใช้กันอยู่อย่างแพร่หลายในปัจจุบัน ด้วยการมาถึงของหน่วยความจำแบบ RDRAM ซึ่งแตกต่างไปจาก SDRAM และ DDR-SDRAM อยู่พอสมควร ทำให้บริษัท Rambus (ผู้พัฒนา RDRAM) ต้องออกแบบ โมดูลแรมขึ้นมาใหม่เพื่อใช้กับหน่วยความจำของพวกเขา และผลที่ได้ออกมาก็คือ RIMM ซึ่งย่อมาจาก Rambus Inline Memory Module
ข้อจำกัดในด้านความจุ
ด้วยการเติบโตอย่างต่อเนื่องของอินเทอร์เน็ต ทำให้เซิร์ฟเวอร์ ต้องการประสิทธิภาพในการทำงานที่สูงขึ้น และแน่นอนว่า นั่นก็หมายถึงความต้องการหน่วยความจำที่มากขึ้นตามไปด้วย แต่เนื่องจากบนเมนบอร์ดนั้น จะมีสล็อตหน่วยความจำที่จำกัด ในขณะที่ตัวชิปหน่วยความจำเอง ก็มีขนาดที่จำกัดด้วย ทำให้ต้องมีการพัฒนา โมดูลแรมที่สามารถรองรับชิปหน่วยความจำได้มากขึ้นกว่าปกติ หรือพูดง่ายๆ ก็คือ ให้แผงหน่วยความจำ 1 แผง มีความจุมากที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ และนี่เองก็คือที่มาของ โมดูลแรมแบบใหม่ๆ ที่มีจำหน่ายอยู่ในทุกวันนี้ (เนื่องจาก RDRAM นั้น ไม่ได้รับความนิยมในการใช้งานเท่าที่ควร ทำให้โมดูลแรมแบบใหม่ๆ ที่เกิดขึ้นมา มีแต่แบบที่เป็น DIMM)
ทางออกแรกที่เผยโฉมออกมาก็คือ โมดูลแบบที่มีพื้นที่ของแผงวงจรหรือ PCB เพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า โดยเพิ่มให้สูงขึ้น เพื่อให้สามารถรองรับชิปหน่วยความจำได้มากขึ้น ดังที่เห็นจากในภาพ (ภาพที่ 1) ซึ่งแน่นอนว่า จะทำให้โมดูลแรมแบบนี้มีความจุมากขึ้น แต่ปัญหาที่เกิดขึ้นตามมาก็คือ ความสูงที่เป็นสองเท่าของ DIMM แบบนี้นั้น ทำให้มันไม่สามารถใส่เข้าไปใน rack ของเซิร์ฟเวอร์ได้ (แน่นอนว่าผู้ใช้ตามบ้านอาจไม่พบกับปัญหานี้เสียทีเดียว เพราะเคสโดยทั่วไปจะกว้างมากเกินพอ แต่ก็มีในบางกรณีที่ตำแหน่งของ DIMM บนเมนบอร์ดนั้น อาจไปตรงกับไดรฟ์ ซึ่งถ้า DIMM มีความสูงเกินกว่าปกติ ก็อาจเป็นปัญหาได้เหมือนกัน) ด้วยเหตุนี้ บริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำหลายรายได้ จึงได้เข้ามาคิดหาวิธีเพื่อรับมือกับปัญหาที่เกิดขึ้นนี้ และผลที่ได้ออกมาก็คือ โมดูลของหน่วยความจำแบบใหม่ๆ ไม่ว่าจะเป็น TCP, EPOC หรือ FEMMA ซึ่งแต่ละเทคโนโลยี ก็มีวิธีคิดที่ชาญฉลาด และแตกต่างกันออกไป
เทคโนโลยี TCP
หนึ่งในแนวคิดเพื่อเพิ่มจำนวนของชิปหน่วยความจำบนพื้นที่ PCB ขนาดเท่าเดิมก็คือ การออกแบบชิปหน่วยความจำให้บาง หรือที่เรียกกันว่า TSOP (Thin Small Outline Packages) แล้วนำมันมาซ้อนกันเป็นสองชั้น ซึ่งมีมานานหลายปีแล้ว แต่ไม่ค่อยเป็นผลสักเท่าไรนัก เนื่องจากมันมีปัญหาในเรื่องของการระบายความร้อน (เพราะชิปทั้งสองตัวนั้นแตะกัน)
โดยอาศัยหลักการที่ว่านี้ Elipda ได้นำมาดัดแปลงพัฒนาจนได้ออกมาเป็นเทคโนโลยี TCP หรือ Tape Carrier Packaging ของตน (Elipda อาจไม่ใช่ชื่อที่คุ้นหูพวกเรานัก แต่ถ้ามองลึกลงไปถึง 2 บริษัทร่วมทุนที่หนุนหลังพวกเขาอยู่ จะพบชื่อของขาเก่าในอุตสาหกรรมนี้มายาวนานอย่าง Hitachi และ NEC) ความโดดเด่นของเทคโนโลยีนี้ก็คือ มันสามารถทำให้โมดูลของหน่วยความจำบางลงได้ถึง 4.8 มิลลิเมตร (โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี TSOP จะมีความหนาประมาณ 6.8 มิลลิเมตร) และรองรับชิป DDR-SDRAM ได้มากถึง 36 ชิ้น
เทคโนโลยี TCP
หนึ่งในแนวคิดเพื่อเพิ่มจำนวนของชิปหน่วยความจำบนพื้นที่ PCB ขนาดเท่าเดิมก็คือ การออกแบบชิปหน่วยความจำให้บาง หรือที่เรียกกันว่า TSOP (Thin Small Outline Packages) แล้วนำมันมาซ้อนกันเป็นสองชั้น ซึ่งมีมานานหลายปีแล้ว แต่ไม่ค่อยเป็นผลสักเท่าไรนัก เนื่องจากมันมีปัญหาในเรื่องของการระบายความร้อน (เพราะชิปทั้งสองตัวนั้นแตะกัน)
โดยอาศัยหลักการที่ว่านี้ Elipda ได้นำมาดัดแปลงพัฒนาจนได้ออกมาเป็นเทคโนโลยี TCP หรือ Tape Carrier Packaging ของตน (Elipda อาจไม่ใช่ชื่อที่คุ้นหูพวกเรานัก แต่ถ้ามองลึกลงไปถึง 2 บริษัทร่วมทุนที่หนุนหลังพวกเขาอยู่ จะพบชื่อของขาเก่าในอุตสาหกรรมนี้มายาวนานอย่าง Hitachi และ NEC) ความโดดเด่นของเทคโนโลยีนี้ก็คือ มันสามารถทำให้โมดูลของหน่วยความจำบางลงได้ถึง 4.8 มิลลิเมตร (โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี TSOP จะมีความหนาประมาณ 6.8 มิลลิเมตร) และรองรับชิป DDR-SDRAM ได้มากถึง 36 ชิ้น
เบื้องหลังความสำเร็จเกิดขึ้นจากการที่ Elipda ใช้เทคโนโลยีในการผลิตที่ 0.13 ไมครอน ทำให้ตัวชิปหน่วยความจำบางและเล็กมาก อีกทั้งยังสามารถซ้อนทับกัน 2 ชั้นได้โดยมีช่องว่างระหว่างชิปทั้ง 2 (ชิปทั้ง 2 ชั้นไม่ต้องสัมผัสกัน) ส่งผลให้สามารถระบายความร้อนได้ดีขึ้น โดยถ้าดูจากภาพประกอบไปด้วย ก็จะเข้าใจได้ง่ายขึ้น (ภาพที่ 2 เป็นภาพของโมดูลที่ใช้เทคโนโลยี TCP ซึ่งจะเห็นได้ถึงการซ้อนทับกัน 2 ชั้นของชิปหน่วยความจำ ส่วนภาพที่ 3 จะเป็นภาพตัดขวางที่แสดงเปรียบเทียบโครงสร้างของเทคโนโลยี TCP กับ TSOP)RAM ย่อมาจากคำว่า Random-Access Memory เป็นหน่วยความจำของระบบ มีหน้าที่รับข้อมูลเพื่อส่งไปให้ CPU ประมวลผลจะต้องมีไฟเข้า Module ของ RAM ตลอดเวลา ซึ่งจะเป็น chip ที่เป็น IC ตัวเล็กๆ ถูก pack อยู่บนแผงวงจร หรือ Circuit Board เป็น module
SDRAM
SDRAM
อาจจะกล่าวได้ว่า SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) นั้นเป็น Memory ที่เป็นเทคโนโลยีเก่าไปเสียแล้วสำหรับยุคปัจจุบัน เพราะเป็นการทำงานในช่วง Clock ขาขึ้นเท่านั้น นั้นก็คือ ใน1 รอบสัญญาณนาฬิกา จะทำงาน 1 ครั้ง ใช้ Module แบบ SIMM หรือ Single In-line Memory Module โดยที่ Module ชนิดนี้ จะรองรับ datapath 32 bit โดยทั้งสองด้านของ circuite board จะให้สัญญาณเดียวกัน หน่วยความจำแบบ DDR-SDRAM นี้พัฒนามาจากหน่วยความจำแบบ SDRAM เอเอ็มดีได้ทำการพัฒนาชิปเซตเองและให้บริษัทผู้ผลิตชิปเซตรายใหญ่อย่าง VIA, SiS และ ALi เป็นผู้พัฒนาชิปเซตให้ ปัจจุบันซีพียูของเอเอ็มดีนั้นมีประสิทธิภาพโดยรวมสูงแต่ยังคงมีปัญหาเรื่องความเสถียรอยู่บ้าง แต่ต่อมาเอเอ็มดีหันมาสนใจกับชิปเซตสำหรับซีพียูมากขึ้น ขณะที่ทางเอเอ็มดีพัฒนาชิปเซตเลือกให้ชิปเซต AMD 760 สนับสนุนการทำงานร่วมกับหน่วยความจำแบบ DDR เพราะหน่วยความจำแบบ DDR นี้ จัดเป็นเทคโนโลยีเปิดที่เกิดจากการร่วมมือกันพัฒนาของบริษัทยักษ์ใหญ่อย่างเอเอ็มดี, ไมครอน, ซัมซุง, VIA, Infineon, ATi, NVIDIA รวมถึงบริษัทผู้ผลิตรายย่อยๆ อีกหลายDDR-SDRAM เป็นหน่วยความจำที่มีบทบาทสำคัญบนการ์ดแสดงผล 3 มิติ
ทางบริษัท nVidia ได้ผลิต GeForce ใช้คู่กับหน่วยความจำแบบ SDRAM แต่เกิดปัญหาคอขวดของหน่วยความจำในการส่งถ่ายข้อมูลทำให้ทาง nVidia หาเทคโนโลยีของหน่วยความจำใหม่มาทดแทนหน่วยความจำแบบ SDRAM โดยเปลี่ยนเป็นหน่วยความจำแบบ DDR-SDRAM การเปิดตัวของ GeForce ทำให้ได้พบกับ GPU ตัวแรกแล้ว และทำให้ได้รู้จักกับหน่วยความจำแบบ DDR-SDRAM เป็นครั้งแรกด้วย การที่ DDR-SDRAM สามารถเข้ามาแก้ปัญหาคอคอดของหน่วยความจำบนการ์ดแสดงผลได้ ส่งผลให้ DDR-SDRAM กลายมาเป็นมาตรฐานของหน่วยความจำที่ใช้กันบนการ์ด 3 มิติ ใช้ Module DIMM หรือ Dual In-line Memory Module โดย Module นี้เพิ่งจะกำเนิดมาไม่นานนัก มี datapath ถึง 64 bit โดยทั้งสองด้านของ circuite board จะให้สัญญาณที่ต่างกัน
Rambus
Rambus นั้นทางอินเทลเป็นผู้ที่ให้การสนับสนุนหลักมาตั้งแต่แรกแล้ว Rambus ยังมีพันธมิตรอีกเช่น คอมแพค, เอชพี, เนชันแนล เซมิคอนดักเตอร์, เอเซอร์ แลบอเรทอรีส์ ปัจจุบัน Rambus ถูกเรียกว่า RDRAM หรือ Rambus DRAM ซึ่งออกมาทั้งหมด 3 รุ่นคือ Base RDRAM, Concurrent RDRAM และ Direct RDRAM RDRAM แตกต่างไปจาก SDRAM เรื่องการออกแบบอินเทอร์-เฟซของหน่วยความจำ Rambus ใช้วิธีการจัด address การจัดเก็บและรับข้อมูลในแบบเดิม ในส่วนการปรับปรุงโอนย้ายถ่ายข้อมูล ระหว่าง RDRAM ไปยังชิปเซตให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้น มีอัตราการส่งข้อมูลเป็น 4 เท่าของความเร็ว FSB ของตัว RAM คือ มี 4 ทิศทางในการรับส่งข้อมูล เช่น RAM มีความเร็ว BUS = 100 MHz คูณกับ 4 pipline จะเท่ากับ 400 MHz
Rambus นั้นทางอินเทลเป็นผู้ที่ให้การสนับสนุนหลักมาตั้งแต่แรกแล้ว Rambus ยังมีพันธมิตรอีกเช่น คอมแพค, เอชพี, เนชันแนล เซมิคอนดักเตอร์, เอเซอร์ แลบอเรทอรีส์ ปัจจุบัน Rambus ถูกเรียกว่า RDRAM หรือ Rambus DRAM ซึ่งออกมาทั้งหมด 3 รุ่นคือ Base RDRAM, Concurrent RDRAM และ Direct RDRAM RDRAM แตกต่างไปจาก SDRAM เรื่องการออกแบบอินเทอร์-เฟซของหน่วยความจำ Rambus ใช้วิธีการจัด address การจัดเก็บและรับข้อมูลในแบบเดิม ในส่วนการปรับปรุงโอนย้ายถ่ายข้อมูล ระหว่าง RDRAM ไปยังชิปเซตให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้น มีอัตราการส่งข้อมูลเป็น 4 เท่าของความเร็ว FSB ของตัว RAM คือ มี 4 ทิศทางในการรับส่งข้อมูล เช่น RAM มีความเร็ว BUS = 100 MHz คูณกับ 4 pipline จะเท่ากับ 400 MHz
วิธีการเพิ่มประสิทธิภาพในการขนถ่ายข้อมูลของ RDRAM นั้นก็คือ จะใช้อินเทอร์เฟซเล็ก ๆ ที่เรียกว่า Rambus Interface ซึ่งจะมีอยู่ที่ปลายทางทั้ง 2 ด้าน คือทั้งในตัวชิป RDRAM เอง และในตัวควบคุมหน่วยความจำ (Memory controller อยู่ในชิปเซต) เป็นตัวช่วยเพิ่มแบนด์วิดธ์ให้ โดย Rambus Interface นี้จะทำให้ RDRAM สามารถขนถ่ายข้อมูลได้สูงถึง 400 MHz DDR หรือ 800 เมกะเฮิรตซ์ เลยทีเดียว
แต่การที่มีความสามารถในการขนถ่ายข้อมูลสูง ก็เป็นผลร้ายเหมือนกัน เพราะทำให้มีความจำเป็นต้องมี Data path หรือทางผ่านข้อมูลมากขึ้นกว่าเดิม เพื่อรองรับปริมาณการขนถ่ายข้อมูลที่เพิ่มขึ้น ซึ่งนั่นก็ส่งผลให้ขนาดของ die บนตัวหน่วยความจำต้องกว้างขึ้น และก็ทำให้ต้นทุนของหน่วยความจำแบบ Rambus นี้ สูงขึ้นและแม้ว่า RDRAM จะมีการทำงานที่ 800 เมกะเฮิรตซ์ แต่เนื่องจากโครงสร้างของมันจะเป็นแบบ 16 บิต (2 ไบต์) ทำให้แบนด์วิดธ์ของหน่วยความจำชนิดนี้ มีค่าสูงสุดอยู่ที่ 1.6 กิกะไบต์ต่อวินาทีเท่านั้น (2 x 800 = 1600) ซึ่งก็เทียบเท่ากับ PC1600 ของหน่วยความจำแบบ DDR-SDRAM
สัญญาณนาฬิกา
DDR-SDRAM จะมีพื้นฐานเหมือนกับ SDRAM ทั่วไปมีความถี่ของสัญญาณนาฬิกาเท่าเดิม (100 และ 133 เมกะเฮิรตซ์) เพียงแต่ว่า หน่วยความจำแบบ DDR นั้น จะสามารถขนถ่ายข้อมูลได้มากกว่าเดิมเป็น 2 เท่า เนื่องจากมันสามารถขนถ่ายข้อมูลได้ทั้งในขาขึ้นและขาลงของหนึ่งรอบสัญญาณนาฬิกา ในขณะที่หน่วยความจำแบบ SDRAM สามารถขนถ่ายข้อมูลได้เพียงขาขึ้นของรอบสัญญาณนาฬิกาเท่านั้น
ด้วยแนวคิดง่าย ๆ แต่สามารถเพิ่มแบนด์วิดธ์ได้เป็นสองเท่า และอาจจะได้พบกับหน่วยความจำแบบ DDR II ซึ่งก็จะเพิ่มแบนด์วิดธ์ขึ้นไปอีก 2 เท่า จากหน่วยความจำแบบ DDR (หรือเพิ่มแบนด์วิดธ์ไปอีก 4 เท่า เมื่อเทียบกับหน่วยความจำแบบ SDRAM) ซึ่งก็มีความเป็นไปได้สูง เพราะจะว่าไปแล้วก็คล้ายกับกรณีของ AGP ซึ่งพัฒนามาเป็น AGP 2X 4X และ AGP 8X
สัญญาณนาฬิกา
DDR-SDRAM จะมีพื้นฐานเหมือนกับ SDRAM ทั่วไปมีความถี่ของสัญญาณนาฬิกาเท่าเดิม (100 และ 133 เมกะเฮิรตซ์) เพียงแต่ว่า หน่วยความจำแบบ DDR นั้น จะสามารถขนถ่ายข้อมูลได้มากกว่าเดิมเป็น 2 เท่า เนื่องจากมันสามารถขนถ่ายข้อมูลได้ทั้งในขาขึ้นและขาลงของหนึ่งรอบสัญญาณนาฬิกา ในขณะที่หน่วยความจำแบบ SDRAM สามารถขนถ่ายข้อมูลได้เพียงขาขึ้นของรอบสัญญาณนาฬิกาเท่านั้น
ด้วยแนวคิดง่าย ๆ แต่สามารถเพิ่มแบนด์วิดธ์ได้เป็นสองเท่า และอาจจะได้พบกับหน่วยความจำแบบ DDR II ซึ่งก็จะเพิ่มแบนด์วิดธ์ขึ้นไปอีก 2 เท่า จากหน่วยความจำแบบ DDR (หรือเพิ่มแบนด์วิดธ์ไปอีก 4 เท่า เมื่อเทียบกับหน่วยความจำแบบ SDRAM) ซึ่งก็มีความเป็นไปได้สูง เพราะจะว่าไปแล้วก็คล้ายกับกรณีของ AGP ซึ่งพัฒนามาเป็น AGP 2X 4X และ AGP 8X
หน่วยความจำแบบ DDR จะใช้ไฟเพียง 2.5 โวลต์ แทนที่จะเป็น 3.3 โวลต์เหมือนกับ SDRAM ทำให้เหมาะที่จะใช้กับโน้ตบุ๊ก และด้วยการที่พัฒนามาจากพื้นฐานเดียว DDR-SDRAM จะมีความแตกต่างจาก SDRAM อย่างเห็นได้ชัดอยู่หลายจุด เริ่มตั้งแต่มีขาทั้งหมด 184 pin ในขณะที่ SDRAM จะมี 168 pin อีกทั้ง DDR-SDRAM ยังมีรูระหว่าง pin เพียงรูเดียว ในขณะที่ SDRAM จะมี 2 รู ซึ่งนั่นก็เท่ากับว่า DDR-SDRAM นั้น ไม่สามารถใส่ใน DIMM ของ SDRAM ได้ หรือต้องมี DIMM เฉพาะใช้ร่วมกันไม่ได้
การเรียกชื่อ RAM
Rambus ซึ่งใช้เรียกชื่อรุ่นหน่วยความจำของตัวเองว่า PC600, PC700 และ ทำให้ DDR-SDRAM เปลี่ยนวิธีการเรียกชื่อหน่วยความจำไปเช่นกัน คือแทนที่จะเรียกตามความถี่ของหน่วยความจำว่าเป็น PC200 (PC100 DDR) หรือ PC266 (PC133 DDR) กลับเปลี่ยนเป็น PC1600 และ PC2100 ซึ่งชื่อนี้ก็มีที่มาจากอัตราการขนถ่ายข้อมูลสูงสุดที่หน่วยความจำรุ่นนั้นสามารถทำได้ ถ้าจะเปรียบเทียบกับหน่วยความจำแบบ SDRAM แล้ว PC1600 ก็คือ PC100 MHz DDR และ PC2100 ก็คือ PC133 MHz DDR เพราะหน่วยความจำที่มีบัส 64 บิต หรือ 8 ไบต์ และมีอัตราการขนถ่ายข้อมูล 1600 เมกะไบต์ต่อวินาที ก็จะต้องมีความถี่อยู่ที่ 200 เมกะเฮิรตซ์ (8 x 200 = 1600) หรือถ้ามีแบนด์วิดธ์ที่ 2100 เมกะไบต์ต่อวินาที ก็ต้องมีความถี่อยู่ที่ 266 เมกะเฮิรตซ์ (8 x 266 = 2100)
การเรียกชื่อ RAM
Rambus ซึ่งใช้เรียกชื่อรุ่นหน่วยความจำของตัวเองว่า PC600, PC700 และ ทำให้ DDR-SDRAM เปลี่ยนวิธีการเรียกชื่อหน่วยความจำไปเช่นกัน คือแทนที่จะเรียกตามความถี่ของหน่วยความจำว่าเป็น PC200 (PC100 DDR) หรือ PC266 (PC133 DDR) กลับเปลี่ยนเป็น PC1600 และ PC2100 ซึ่งชื่อนี้ก็มีที่มาจากอัตราการขนถ่ายข้อมูลสูงสุดที่หน่วยความจำรุ่นนั้นสามารถทำได้ ถ้าจะเปรียบเทียบกับหน่วยความจำแบบ SDRAM แล้ว PC1600 ก็คือ PC100 MHz DDR และ PC2100 ก็คือ PC133 MHz DDR เพราะหน่วยความจำที่มีบัส 64 บิต หรือ 8 ไบต์ และมีอัตราการขนถ่ายข้อมูล 1600 เมกะไบต์ต่อวินาที ก็จะต้องมีความถี่อยู่ที่ 200 เมกะเฮิรตซ์ (8 x 200 = 1600) หรือถ้ามีแบนด์วิดธ์ที่ 2100 เมกะไบต์ต่อวินาที ก็ต้องมีความถี่อยู่ที่ 266 เมกะเฮิรตซ์ (8 x 266 = 2100)
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น